• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1988007983A1
    申请号:PCT/JP1988/000383
    申请日:1988-04-16
    公开日:1988-10-20
    发明作者:Go Suzuki
    申请人:Ngk Insulators, Ltd.；
    IPC主号:C04B41-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 セラ ミ ッ ク基体およびその製造方法
    [0002] 〔 技 術 分 野 〕
    [0003] 本発明は、 無電解めつきが表面上に施されるセラ ミ ック 基体およびその製造方法に関するものである。
    [0004] 〔 背 景 技 術 〕
    [0005] 従来において、 セラ ミ ッ ク基体の表面上に、 異種金属と 接合するための、 あるいは導体と しての金属化膜を設ける に際し、 直接に無電解めつきを施す手段と.しては、 次のよ うなものがある。
    [0006] a ) セラ ミ ッ ク基体の表面をアルカ リ金属化合物から成る エ ッチング液で粗面化処理を行い、 次に無電解めつきの ための触媒を吸着させて無電解めつきを施す手段。
    [0007] b ) セ ラ ミ ッ ク基体の表面上に活性ペース トを付与し、 次 に焼付処理を行う こ とによ りめっき膜を形成して、 この めっき膜上に無電解めつきを施す手段。
    [0008] c ) セラ ミ ック基体の表面上に粗面化した樹脂シー トを接 着し、 次にその樹脂シー ト上に無電解めつきのための触 媒を吸着させて無電解めつきを施す手段。
    [0009] d ) 有機バイ ンダが通常の状態より過量に添加されたアル ミ ナペース トを、 グ リ ー ン （セ ラ ミ ッ ク ） シー ト上の一 部または全面に印刷塗布し、 次に同時焼成を行う ことに よりポーラ スな状態の表面を有するセ ラ ミ ッ ク基体を形 成して、 このセラ ミ ッ ク基体表面上に無電解めつきを施 す手段（ 特開昭 59 - 161896 号参照） 。
    [0010] 〔 発 明 の 開 示 〕 .
    [0011] しかしながら、 前述された手段には、 次のような問題点 力 ある。
    [0012] a)の場合
    [0013] 1 ) 粗面化の状態によつてはエ ツチング液が残留し易く - このために無電解めつき後において無電解めつき層と セ ラ ミ ツク界面との間で腐食現象が発生し易い。
    [0014] ϋ ) 例えば高温のアルカ リ金属化合物、 特に 400 'C程度 で溶解させたアル力リ金属の水酸化物等を用いたよ く 知られているエ ッチング方法によれば、 加熱むらによ り均一なェツチングが行われにく いがため、 無電解め つき層とセラ ミ ック基体との間の密着力にバラツキが 生じ易い。
    [0015] b)の場合
    [0016] 活性ペース トによる接合密着強度は活性ペース トの密 着力によるために、 密着強度を上げるには 600 'C程度の 高温焼結を行う必要がある。 しかしながら、 セ ラ ミ ッ ク 基体を電子回路基体として用いる場合には、 無電解め—つ きの前に電子面路の機能部品として導体形成と異なる条 伴下で焼付けされている抵抗、 磁性体、 誘電体等が付加 される場合には前記高温焼結に晒されることになる。 し たがって、 この高温焼結により前記機能部品の特性に変 化が生じて、 安定した特性を確保することが難しい。 c)の場合
    [0017] 無電解めっき層とセラ ミ ッ ク基体との間に樹脂シー ト が介在するために、 この樹脂シ一 トにより基体としての セ ラ ミ ッ ク の耐熱性、 高熱伝導性等の熱特性が損なわれ る。
    [0018] d )の場合
    [0019] i ) 例えば無電解めつきとして銅めつきを施す場合には こ の銅めつき層とセラ ミ ッ ク基体との間の密着力は多 孔層構造を有しないセラ ミ ッ ク基体に較べて 1 . 2 〜 2 倍程度しか得られず、 充分な密着力が得られない。 ii ) 密着力を得るために、 有機バイ ンダの量を過量にし てアルミナペース 卜の粘度を増加させるこ とにより焼 成後の多孔層の表面粗さを極めて粗く した場合には、 表面粗度が高いために、 より微細な配線パターンを無 電解めつき層上に形成する ことが難しい。
    [0020] また、 高い表面粗度のために、 配線パターンをエ ツ チ ングで形成する工程においてエ ッチング液の洗浄を 充分に行わないと残渣が残り、 絶緣不良を生じ易い。
    [0021] さ らに、 高周波信号を対象とする配線用のセ ラ ミ ツ ク基体においては、 表面粗さが大き く なるにつれて伝 送損失が増加する。 例えば 20 G H z の高周波信号にお—い ては、 平均表面粗さが 1 . 0 u m を超す場合には、 伝送 損失が急激に増加することが報告されている（ 報告者 森田明、 富室久 ； 昭和 58年度電気通信学会総合全国大 会講演論文集 ： 3 — 1 5 2 ) 。
    [0022] 本発明は、 こ のよ うな問題点を解消する目的でなされた ものである。
    [0023] 本発明によるセ ラ ミ ッ ク基体は、 無電解めつき層が表面 上に設けられる緻密なセラ ミ ック体のその表面に粒状突起 部が形成されるとともに、 この粒状突起部における粒状突 起間には、 前記表面側から見て実質的に奥側に向かって先 広がりの空隙が形成されていることを特徴とするものであ る。
    [0024] このようにし構成すると、 粒状突起間の表面側から見て 実質的に奥側に向かって先広がりの空隙による強固なァ ン 力一効果によつて無電解めつき層とセラ ミ ック基体との間 における密着強度が得られる。 したがって、 腐食原因とな るエッチング並びに高温焼結の必要な活性メ タ ライ ズ等の 処理をせずとも、 またセラ ミ ッ ク基体の熱特性を損なう樹 脂シー トを用いることもな く安定した密着強度が得られる セラ ミ ック碁体を提供することができる。 さらに、 無電解 めっきであることからめっき加工時に高温の熱処理を施す 必要が無く、 このために電子面路用として用いる場合には セ ラ ミ ツ ク基体に] :膜法、 薄膜法あるいはめっき法等によ る既存の抵抗、 厚膜法あるいは薄膜法等による既存の誘電 体、 透光体またば) Ϊ膜法あるいは薄膜法等による既存の磁 性体を形成した後に、 無電解めつきによるめつき回路彤成 力く 丁 る'。
    [0025] なお、 前記先広がりの空隙における く びれ部分の総面積 の割合が所定基体表面積当たり 0， 5 〜 10 %であるとともに、 前記く びれ部分の個数が単位平方腿当たり 2 , 000 〜100 , 000 個であることが好ま しい。
    [0026] さらにば、 前記所定基体表面積当たりの く びれ部分の総 面積の割合が 3〜 7 %であるとともに、 前記単位平方删当 たり の く びれ部分の個数が 5 , 000 〜 20 , 000個である こ とが 好ま しい。
    [0027] また、 基体表面における表面粗さが平均表面粗さにおい て 0 . 4 〜： 1 . 0 u m である こ とが好ま しい。
    [0028] 本発明によるセ ラ ミ ッ ク基体の製造方法は、
    [0029] ( a ) 焼成によ り緻密化するセ ラ ミ ッ ク材料を舍有するグ リ ー ンセ ラ ミ ッ ク と、 粒状セ ラ ミ ッ ク材料から成るか またはその粒状セラ ミ ッ ク材料を含有する表層セラ ミ ッ ク との重層構造部を形成する工程および
    [0030] ( b ) この重層構造部を前記グリ ー ンセ ラ ミ ッ クが緻密に なり かつ前記粒状セラ ミ ッ ク材料がその嶽密体に結合 する温度で焼結する工程
    [0031] を具えて、 前記粒状セ ラ ミ ッ ク より形成される粒状突起 部の粒状突起間に表面側から見て実質的に奥側に向かつて 先広がり の空隙を形成する こ とを特徴とする ものである。
    [0032] したがって、 表層セラ ミ ッ ク における粒状セ ラ ミ ッ ク材 料のグリ ー ンセ ラ ミ ッ ク側の端部は、 焼結によ り少な く と も-.グリ ー ンセラ ミ ッ クの結晶結合剤によ ってその焼結で緻 密体となるグリ ー ンセ ラ ミ ッ ク に結合されて、 粒状突起部 が形成される こ とになる。 こ う して、 セ ラ ミ ッ ク基体の表 面の粒状突起部における粒状突起間には材料の粒形状にも とづき表面側から見て実質的に奥側に向かって先広がり の 空隙が形成される こ とになる。
    [0033] したがって、 無電解めつ き層を施す際には、 こ の空隙内 に無電解めつ き層の一部が侵入し、 次いで固化されて強固 なア ンカ ー効果が発揮される。 〔 図面 の 簡単な説 明 〕
    [0034] 第 1 A図乃至第 6 B図は本発明によるセラ ミ ック基体お よびその製造方法の具体的実施例を説明するための図面で めつ 乙、
    [0035] 第 1 A図乃至第 1 C図ば基体的モデルにより本発明によ るセラ ミ ック基体の基本的製造過程の概略を示す断面図、 第 2図ば粒状セラ ミ ック材料が 2層になる場合の第 1 B 図に対応する断面図、 ，
    [0036] 第 3 A図および第 3 B図夫々は第 1 C図の一部分の拡大 図面に相当して、 空隙の くびれ部分において無電解めつき 層が切断されて剝離する前の状態および剥離後.の状態を示 す断面図、
    [0037] 第 4 A図および第 4 B図夫々は空隙のくびれ部分におい て切断された無電解めつき層の残留部分を示す走査電子顕 微鏡写真による平面図およびその線図的平面図、
    [0038] 第 5 A図および第 5 B図夫々は空隙の個数が多くかつそ の空隙の く びれ部分の 1個当たりの面積が小さ く て空隙が 無電解めつき層によつて完全に埋まつてしまう場合、 およ び空隙の個数が少なく かつその空隙の くびれ部分の 1個当 たり の面積が大き くて空隙が無電解めつき層によつて完全 に埋まらない場合を示す断面図、
    [0039] 第 6 A図および第 6 B図夫々は本発明によるセラ ミ ック 基板の粒子構造を示す走查電子顕微鏡写真による断面図お よびその線図的断面図である。
    [0040] 〔究明を実施するための最良の形態〕
    [0041] 次に、 本発明によるセラ ミ ッ ク基体およびその製造方法 の具体的実施例につき、 図面を参照しつつ説明する。
    [0042] まず、 基本的モデルについて第 1 A図乃至第 1 C図によ つて説明する。
    [0043] 原料のセラ ミ ツ ク材料および結晶結合剤の一例であるガ ラ ス成分のフ ラ ッ ク ス、 更には、 適宜有機バイ ンダ、 可塑 剤、 有機溶剤を加えて混合して形成される本発明における グ リ ー ンセ ラ ミ ッ ク である グ リ ー ン シ一 ト （グ リ ー ンテー プ） 1上に、 粒状 （例えば、 球状、 技状、 棒状、 不定形状 等） の一種である球状の粒状セ ラ ミ ック材料 2 を第 1 A図 に示されるように配して表層セラ ミ ッ ク 3 を設けるこ とに より重層構造を形成する。 次に、 グリー ンシー ト 1 を焼結 すれば、 こ のグリ ー ン シー ト 1 内の前記結晶結合剤のガラ ス成分がしみ出し、 粒状セラ ミ ッ ク材料 2等の表面を第 1 B図に示されるように濡らしてそのガラス成分による結合 層 4 を形成する。 そして、 焼結後には、 この結合層 4 を介 して粒状セラ ミ ッ ク材料 2 の下端側の端部が焼結により緻 密化されたグリー ンシー ト 1 に強固に結合される。 こ う し て、 これら粒状セ ラ ミ ッ ク材料 2 によ り粒状突起部 5 が形 成され、 こ の粒状突起部 5 の粒状突起間には、 上方であ 表面側から見て奥側に向かって先広がり の形状となる空隙 6 が形成される。 こ の空隙 6 に、 第 1 C図に示されるよう に、 施される無電解めつき層 7 の一部が侵入固化されて強 固なア ンカー効果が発揮される。
    [0044] したがって、 また無電解めつき層 7が施された後に厚膜 抵抗体、 誘電体、 導体等の焼付けが必要な場合には、 前記 ア ンカ ー効果によって無電解めつき層 7 と、 焼結されて粒 状突起部 5が形成されたダリ ーンシー ト 1および表層セラ ミ ック 3 より構成されるセラ ミ ック基体 Aとの熱膨張率の 差による無電解めつき層 7 の剝離またはふく れ等を防止す ることができる。
    [0045] 粒状セラ ミ ック材料 2を舍むセラ ミ ック材料には、 アル ミナ、 ベリ リ ア、 コ一ジヱライ 卜、 炭化珪素、 フォルステ ライ ト、 ジルコユア、 ムライ ト等がある。 また、 前記結晶 結合剤としては、 前記ガラス成分の他に主成分セラ ミ ック より融点.が低く拡散係数の大きな材料等であって、 要する に主成分のセラ ミ ッ ク材料の焼結の助剤となる材料であれ ばいずれの材料でも使用できる。 こ の理由ば、 結晶結合剤 は焼成時の移行が大き く、 濃度勾配で拡散して、 エネルギ 一レベルの低い粒界等の表面へ移行する性質があり、 これ が粒状セラ ミ ック材料 2 の表面を濡らす結果となるためで ある。
    [0046] 前記基本的モデルを説明するに際しては、 前記結晶結合 剤を含まない 1層に配列される粒状セラ ミ ック材料 2 によ る表層セラ ミ ッ ク 3 と したが、 この表層セ ラ ミ ッ ク 3 に前 記結晶結合剤が舍まれても良く、 また粒状セラ ミ ック材料 2が 2層、 3層等になっても良い。 なお、 この 2層の場合 の第 1 B図に対応する状態は第 2図のようになり、 同一番 号は同一内容を示している。
    [0047] 次に、 前述されたような粒状突起部 5が形成される場合 の条件について詳述する。
    [0048] 1 )結晶結合剤等
    [0049] グリーンシー ト 1 中に舍まれる結晶結合剤に相当する 成分のそのグリ ー ンシー ト 1 に対する重量配合比率が、 粒状セ ラ ミ ッ ク材料 2 中、 言い換えれば表層セラ ミ ッ ク 3 中に舍まれる結晶結合剤に相当する成分のその表層セ ラ ミ ッ ク 3 に対する重量配合比率より大きいこと。
    [0050] この理由は、 グリーンシー ト 1 上に形成した表層セ ラ ミ ック 3 の少な く とも最上層粒子が、 結晶結合剤で埋め られずに、 そこに粒状突起部 5が形成されるようにする ためである。
    [0051] 2) グリー ンシー ト 1 が焼結により緻密化し、 緻密体に粒 状セ ラ ミ ッ ク材料 2が結合する温度で焼結すること。
    [0052] この理由は、 表層セラ ミ ッ ク 3が焼成される温度で焼 結すれば、 グリー ンシー ト 1 は緻密に焼結せずに脆い状 態になるためである。
    [0053] 次に、 無電解めつき層 7 の密着強度について、 空隙 6 に 関して定量的な說明を施すことにより、 第 1 図の一部を拡 大した第 3 A図、 さ らには第 3 B図を参照しつつ説明する - セラ ミ ッ ク基体 Aに無電解めつき層 7が密着している第 3 A図に示されている状態から、 この無電解めつき層 7 を セラ ミ ッ ク基体 Aより剥離した場合には、 第 3 B図に示さ れるように隣接する 2個の粒状セラ ミ ッ ク材料 2 , 2間の 最も近接した く びれ部分 8 と称せられる位置で切断される。 したがって、 この く びれ部分 8 の総面積が大き く なればな る程、 密着強度が大きいこ とになる。 なお、 この総面積は 無電解めつき層 7 をセ ラ ミ ッ ク基体 Aから剝離した後にセ ラ ミ ッ ク基体 Aの表面における無電解めつき層 7 の残留部 分の面積を計測するこ とによ り求められる。 また、 所定基 体袠面積 （セラ ミ ツク基体 Aの表面積） 当たりの く びれ部 分 8 の総面積の割合を百分率％で表示し、 この値を空隙 6 の く びれ部分 &の面積と称し、 その％表示でもって次の説 明を斤なう。 第 4 A図および第 4 B図には、 く びれ部分 8 において切断された無電解めつき層 Ί の残留部分の走查電 子顕微鏡写真による平面図およびその線図的平面図が示さ れている。 前述したように、 これら第 4 A図および第 4 B 図における無電解めつき層' 7 の残留部分の個々の表面積を 計測して合計するこ ととにより、 く びれ部分 8 の総面積が 求められる。
    [0054] 前述されたような重層構造を形成していない従来のセラ ミ ック基体における くびれ部分 8 の面積は殆んど零である。 実用的な密着強度を得るためにはく びれ部分 8 の総面積の 割合が 0 . 5 %以上であることが必要であり、 また 10 %以上 である必要はない。 空隙 6が多過ぎると表層セラ ミ ック 3 自体の機械的強度が低下してセラ ミ ツク構造体の破壌が起 こるからであり、 望ましく は 3〜マ ％である。
    [0055] また、 空隙 6 の個数は、 実用的な密着強度を得るために は単位平方 mm当たり 3000個以上必要であり、 しかも 150 , 0—00 個までで充分な密着強度が得られる。 望ま し く は単位平方 mm当たり 5 , 000 〜20，000個である。
    [0056] 第 5 A図および第 5 B図には、 セラ ミ ッ ク基体 Aに無電 解めつき層 7を施した後に、 さらにめつき厚みを速やかに 厚く するように電気めつき層 9 を施した場合が示されてい る。 このう ち、 第 5 A図は空隙 6 の個数が多く、 かつその 空隙 6 の く びれ部分 8 の 1個当たり の面積が小さ く て、 空 隙 6が無電解めつき層 7 によって完全に埋まってしま う場 合である。 また、 第 5 B図は逆に空隙 6 の個数が少な く 、 かつその空隙 6 の く びれ部分 8 の 1個当たり の面積が大き く て空隙 6が無電解めつき層 7 によっては完全に埋ま らな い場合である。
    [0057] 第 5 B図の場合においては、 電気めつき層 9 を施した後 においても空隙 6 の相当個所にはめつき層 7 , 9 で埋ま ら ないで隙間 1 0が残っている。 この隙間 10は、 電気めつき層
    [0058] 9 を施す場合に、 電解電流が空隙 6 の相当個所の上端部 1 1 に集中するために直ぐに蓋されたようになるため生じるの である。 こ のよ う な隙間 10は密着強度向上に対しては何等 寄与するこ とな く 、 密着させるセ ラ ミ ッ ク基板 Aの有効表 面積の幾分かを無駄にするこ とになる。 したがって、 空隙 6 の く びれ部分 8 の長さ L は施される無電解めつき層 7 の 層厚の 2倍より も短く選択されるこ とが望ま しい。
    [0059] なお、 粒状セ ラ ミ.ッ ク材料 2 に粗面処理を施せば、 無電 解めつき層 7 に対して前記ア ンカー効果を更に強力なもの にする こ ともできる。
    [0060] また、 無電解めつき層 7 を施した後に加熱するこ とによ り、 こ の無電解めつき層 7 とセラ ミ ック基体 Aとの界面に 化学的反応層を形成させて、 無電解めつき層 7 のセ ラ ミ ツ ク基体 Aに対する密着強度を更に増加させる こともできる。 空隙 6 は、 粒状セラ ミ ッ ク材料 2 > 2間に所望空隙 6 を 形成する大きさを有するグラ フア イ ト、 カーボ ン粒子等の 酸化燃焼可能な空隙形成材によつて制御可能である。 なお、 前述の焼結を酸化雰囲気中で行えば、 この空隙形成材の残 留を防止する ことができる。
    [0061] 次に、 セラ ミ ック基体 Aを構成するグリーンシー ト 1 と 表層セラ ミ ック 3 との重層構造を形成する方法について説 明する。
    [0062] ① 粒祅セラミ ック材料 2 に、 有機バイ ンダ、 有機溶剤、 可塑剤、 空隙形成材等を混合して 2000 c p s の粘度に調整 したペース ト状のスラ リ ーをリ バースコースター方式に より帯板状のグリーンシー ト 1 の両面に展着させる方法,
    [0063] ② 予め.スプレーによって両面に溶剤が吹き付けられた帯 板犾のグリ ーンシー ト 1 を粒状セラ ミ ック材料 2および 空隙形成材が混合されて充璦されている容器中を通過さ せて、 その後'に粒状セラ ミ ッ ク材料 2を貼着させるため に加圧口一ラを通す方法。
    [0064] ③ ①と同様に粒状セラ ミ ツク材料 2に、 有機バイ ンダ、 有機溶剤、 可塑剤、 空隙形成材等を混合してほぼ 200 cp s の粘度に調整したスラ リ一をスプレー塗装法によりグリ ーンシー ト 1 の片面若しく は両面に塗布する方法。
    [0065] ④ 転写紙に予め塗布等された前記スラ リーを、 グリーン シー ト 1 の片面若し く は両面に転写する方法。 —
    [0066] ⑤ グリーンシー ト 1 の片面若しく は両面に前記スラ リー をスク リ ーン印刷によって印刷する方法。
    [0067] ⑥ グリーンシー ト 1 の面に直接に粒状セラ ミ ッ ク材料 2 を均一に散布して加圧する方法。
    [0068] なお、 前述のような方法等によって重層構造にした後、 さらにそれを多段に積み重ねて同時に焼成しても互いに溶 着するようなことはない。 この理由は、 表層部のセ ラ ミ ッ ク質の純度が高いため、 焼 成中に溶着しないためである。
    [0069] 次に、 実際の例について説明する。
    [0070] U L
    [0071] 可塑剤および有機溶剤に加えて、 粒状セ ラ ミ ッ ク材料 2 である平均粒子径 3 mのアルミ ナ粉末と、 有機バイ ンダ であるプチラール樹脂 （重合度 800 ) とを重量比で 1 0 : 1の割 合で混合した。 この混合物に、 空隙形成材と しての # 400 メ ッ シュのカーボン粉末を前記アルミ ナ粉末の体積に対し て 0 体積％、 1 0体積％、 20体積％または 30体積％を加えて 混合.し、 4種類の 1 500 C P S 程度の粘度のスラ リ ーを調整し た。 このスラ リ 一をアルミ ナ純度 96 %のアルミ ナのグリ一 ンテープ 1 の両面に リ バースコースタ一方式によ つて表層 セ ラ ミ ッ ク 3 の厚み 25〜30 μ Di になるよ う に展着して、 1 600て程度の酸化雰囲気中で焼成してセラ ミ 'ン ク基体 Αを 作った。
    [0072] 次に、 セ ラ ミ ッ ク基体 Aを、 株式会社キザィ よ り市販さ れている商標名ナイ コー C E R プロセスによって、 脱脂セ ン シタ イ ジィ ング、 ァクチべーショ ンおよびァク セ レ レー；ン ョ ンの前処理し、 その前処理後にニ ッケルによる無電解二 ッケルめっ きをめつ き厚力く 2 μ になるよ う に施して無電 解めつ き層 7 を形成した。 さ らに、 その後に、 硫酸銅めつ き浴を用いてめつ き厚力 0 m になるよ う に電気鋼めつ き を施して電気めつ き層 9 を形成した。
    [0073] このときの、 銅めつき されたセ ラ ミ ッ ク基体 Aの断面図が 第 6 A図および第 6 B図に顕微鏡写真およびその線図と し て示されている。 これら図面等に見られるように粒状突起 部 5が形成されている。 なお、 12は（ 無電解および電解） 銅めつき層を示している。 次いで 150 'Cでシ ンタした後に フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ によ り 2 腿口のノヾター ンにエ ッ チ ング し 、 0 . 8 讓 の綱リー ドを垂直にハ ンダ付けした。 この 銅リー ドを用いてセラ ミ ック基体 Aと無電解めつき層 7 と の間の密着強度等を測定した。
    [0074] この測定による前述された 4種類のスラ リ一に基づく結 果は表 1 に示される通りである （試料 No. 1 〜Ν(λ 4 ) 。 なお. 比較として表層セラ ミ ックが形成されていないセラ ミ ック 基体をも作製し、 同様に密着強度等を測定して、 の結果 も表 1 に示した。 この表 1から表層セラ ミ ックが形成され ていないセラ ミ ック基体に較べて、 表層セラ ミ ック 3が形 成されたセラ ミ ック基体 Αの密着強度は 2倍になることが わ力、る。
    [0075] カーボン粉 空隙のくびれ 固数 平均表面粗さ m o. 末量漏 部分の薩
    [0076] % kg/ mm 2 % ji/mm2
    [0077] 1 0 2.2 3 9100 0.6
    [0078] 2 10 2.2 4 10100 0.6
    [0079] 3 20 1.9 5 8000 0.7
    [0080] 4 30 2.0 9 3100 0.9 比 較 1.0 ^ 0 ^ 0 0.4
    [0081] (なお、 表面粗さの測定は、 J I S B 0 6 5 2 に規定され る触針式表面粗さ計を用いて、 J I S B 0 6 0 1 に定義さ れる中心線平均粗さを求めるこ とにより行った。 こ の際の カ ツ トオ フ値は 0 . 8 MI、 測定長さは 2 . 5 MIと定めた。 ） M _
    [0082] 例 1 と同様のアルミ ナ粉末を用い、 このアルミ ナ粉末と プチラール樹脂 （重合度 800)とを重量比で 2 0 : 1 の割合 で混合した他は、 例 1 と同様にしてセラ ミ ック基体 Aを作 製し、 このセラ ミ ッ ク基体 Aに一般に市販されているプリ ン ト基板のめっき用の無電解銅めつき薬品を用いてめっき 厚が 2 μ in になるようにめつきを施して無電解めつき層 7 を形成させた。 さ らに、 その後に、 めっき厚力く 30 m にな るよう に電気銅めつきを施して電気めつき層 9 を形成させ た後に、 例 1 と同様に密着強度等を測定した。
    [0083] こ の測定による結果は、 表 2 に示される通りである （試料 No. 5 ) 。 なお、 比較としてアル ミ ナ粉末とプチ ラ ール樹脂 (重合度 800)との重量比が 2 0 ： 5 のセラ ミ ツ ク基体も同 様に作製し測定を行う とともに、 表層セラ ミ ックが形成さ れていないセラ ミ ツク基体についても合わせて測定を行つ てそれらの結果を表 2 に示した。 この表 2からプチラール 樹脂、 言い換えれば有機バイ ンダの重量比が增加すると密 着強度は増加するが、 表層セラ ミ ック 3 自体において破壌 が起こり、 空隙 6 についての正確な測定は行えなかった。 また、 平均表面粗さも 1 . 0 m 以上の値となった。 麦 2
    [0084]
    [0085] M 3_
    [0086] 可塑剤および有機溶剤に加えて、 粒状セ ラ ミ ック材料 2 である平均粒子径 1 . 8 u m のジルコニァ粉末と、 有機バイ ンダであるブチラ一ル樹脂（ 重合度 800)とを重合比で 1 0 ： 1 の割合で加えて混合し、 200 cps程度の粘度のスラ リ ー を調整した。 このスラ リ ーをアルミナ純度 96 %のグリーン テープ 1 の両面にエアースプレ一によつて展着して、 1600 程度の酸化雰囲気中で焼成してセラ ミ ッ ク基体 Aを作つ た。 このセラ ミ ッ ク基体 Aに例 2 と同様に無電解銅めつき によるめつき厚 2 m の無電解めつき層 7 および電気銅め つきによるめつき厚 30 m の電気めつき層 9 を形成して、 例 1 と同様に密着強度等を測定した。
    [0087] こ の測定による結果は、 表 3 に示される通りである （試 料 No. 6 ) 。 なお、 比較として前述のセラ ミ ッ ク基体 Aに、 さ らに 900 て程度の窒素雰囲気中で 10分間熱処理を施した ものについても同様に測定してその結果も表 3 に示した (試料 No. 7 ) 。 この結果から、 熱処理によって更に密着強 度を増加させることができる - iのがわかる。
    [0088] 7 表 3
    [0089]
    [0090] 〔産業上の利用可能性〕
    [0091] 本発明によれば、 ア ンカー効果によりセラ ミ ッ ク基体に 対する強固な安定した密着強度が得られる。 したがって、- 本発明によるセ ラ ミ ッ ク基体は特に電子部品の回路基板用 のセラ ミ ッ ク基体と して有用である。
    权利要求:
    Claims 請 求 の 範 囲
    1. 無電解めつき層が表面上に設けられる緻密なセラ ミ ッ ク体のその表面に粒状突起部が彤成されるとともに、 こ の粒状突起部における粒状突起間には、 前記表面側から 見て実質的に奥側に向かって先広がりの空隙が形成され ていることを特徴とするセラ ミ ツク基体。
    1
    8
    2. 前記.先広がり の空隙における く びれ部分の総面積の割 合が所定基体表面積当たりひ. 5 〜 10 %であるとともに、 前記く びれ部分の個数が単位平方舰当たり 2 , 000 〜
    100 , 000 偭であることを特徴とする請求の範囲第 1項に 記載のセラ ミ ッ ク基体。
    3. 前記所定基体表面積当たり の く びれ部分の総面積の割 合が 3 〜 7 %であるとともに、 前記単位平方讓当たりの く びれ部分の個数が 5 , 000 〜20 , 000倔であるこ とを特徴 とする請求の範囲第 2項に記載のセラ ミ ツク基体。
    4. 基体表面における表面粗さが平均表面粗さにおいて
    0 . 〜1 . 0 a m であることを特徴とする請求の範囲第 1 項乃至第 3項のう ちのいずれかに記載のセラ ミ ック基体,
    5. (a ) 焼成により緻密化するセ ラ ミ ッ ク材料を含有す るグリー ンセ ラ ミ ッ ク と、 粒状セ ラ ミ ッ ク材料から成る かまたはその粒状セ ラ ミ ッ ク材料を舍有する表層セラ ミ ッ ク との重層構造部を形成する工程および
    ( b ) こ の重層構造部を前記グリー ンセ ラ ミ ッ クが緻 密になりかつ前記粒状セラ ミ ッ ク材料がその緻密体に結 合する温度で焼結する工程
    を具えて前記粒状セ ラ ミ ッ ク材料より形成される粒状突 起部の粒状突起間に表面側から見て実質的に奥側に向か つて先広がりの空隙を形成する こ とを特徴とするセ ラ ミ ッ ク基体の製造方法。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    CA1123115A|1982-05-04|Multi-layered glass-ceramic structures havingan internal distribution of copper-based conductors
    CA1043189A|1978-11-28|Fabrication techniques for multilayer ceramic modules
    US3852877A|1974-12-10|Multilayer circuits
    US6413620B1|2002-07-02|Ceramic wiring substrate and method of producing the same
    EP0411639B1|1994-05-18|Electronic circuit substrate
    KR940009175B1|1994-10-01|다층 프린트기판의 제조방법
    EP0331500B1|1993-01-07|Brazing paste for bonding metal and ceramic
    US5439732A|1995-08-08|Ceramic multi-layer wiring board
    US4882455A|1989-11-21|Electronic circuit substrates
    US4712161A|1987-12-08|Hybrid and multi-layer circuitry
    US5337475A|1994-08-16|Process for producing ceramic circuit structures having conductive vias
    EP0245770B1|1993-03-17|Multilayer ceramic substrate with circuit patterns and his method for making
    US5454927A|1995-10-03|Ceramic substrates with highly conductive metal vias
    US6969647B2|2005-11-29|Method of making single layer capacitor
    JP3401767B2|2003-04-28|多層セラミック基板およびその製造方法
    US6936774B2|2005-08-30|Wiring substrate produced by transfer material method
    TWI598006B|2017-09-01|瓷金貫孔基板及其之製造方法
    KR100885136B1|2009-02-23|세라믹 기판, 전자 장치 및 세라믹 기판의 제조 방법
    EP0108211B1|1988-06-01|Multi-plate capacitors and methods of making them
    JP3669255B2|2005-07-06|セラミック多層基板の製造方法および未焼成セラミック積層体
    EP0210502B1|1991-04-10|Method for removal of carbonaceous residues from ceramic structure having internal metallurgy
    US4465727A|1984-08-14|Ceramic wiring boards
    US5184399A|1993-02-09|Method of manufacturing circuit board
    US5627344A|1997-05-06|Multilayer ceramic circuit substrate, process for producing the same, and electrically conductive material for use in multilayer ceramic circuit substrate
    EP0570855B1|2000-04-19|Method for producing multilayered ceramic substrate
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0309593A4|1989-07-06|
    US4959255A|1990-09-25|
    DE3879063T2|1993-08-05|
    EP0309593B1|1993-03-10|
    JPS63260884A|1988-10-27|
    JPH0475876B2|1992-12-02|
    EP0309593A1|1989-04-05|
    DE3879063D1|1993-04-15|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1988-09-26| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1988903382 Country of ref document: EP |
    1988-10-20| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): US |
    1988-10-20| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
    1989-04-05| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1988903382 Country of ref document: EP |
    1993-03-10| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1988903382 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP62092060A|JPH0475876B2|1987-04-16|1987-04-16||
    JP62/92060||1987-04-16||DE19883879063| DE3879063D1|1987-04-16|1988-04-16|Keramikbasis sowie verfahren zur herstellung.|
    DE19883879063| DE3879063T2|1987-04-16|1988-04-16|Keramikbasis sowie verfahren zur herstellung.|
    [返回顶部]